在半導體晶片生產線製程工藝中，會產生大量的酸鹼及VOCs有機污染物等有毒有害氣體。如果直接排放就會對大氣和人的身體健康造成較為嚴重的危害。下面，k8凯发(中国)環保公司為您介紹半導體晶片生產線廢氣處理方案。

半導體晶片生產線廢氣介紹

廢氣成分：半導體晶片生產線廢氣主要包括酸鹼廢氣和有機廢氣兩類。酸/鹼廢氣包括：氨氣、硫酸霧、氟化物、氯化物、氯氣等。有機廢氣包括：非甲烷總烴、氮氧化物、二氧化硫等；

廢氣來源：在半導體晶片生產線造成環境污染的有害氣體，主要來源於晶片生產的清洗、均膠、去膠、刻蝕、顯影過程中。

廢氣特點：半導體晶片生產線廢氣具有排氣量大、濃度小的特點。

主要危害：半導體晶片生產線對大氣的污染，主要是器件清洗等表面處理過程中因使用一些化學藥劑（如硫酸、鹽酸、氟氯化碳、四氯化碳、三氯乙烷及其他有機鹵化物）揮發造成對大氣環境的污染，以及整機裝配過程中產生的機械噪聲和少量粉塵也會造成環境污染，這些污染氣體會造成人群慢性或急性中毒。

半導體晶片生產線廢氣處理工藝

半導體晶片生產線廢氣處理，按照其廢氣處理工藝分為：酸性廢氣處理（SEX）、鹼性廢氣處理(AEX)、有機廢氣處理(VEX)和一般排氣(GEX)等。

1、半導體晶片生產線酸鹼性廢氣處理工藝

工作原理：

（1）立式廢氣洗滌塔工作原理為氣液兩相逆流接觸；含酸性或鹼性廢氣由塔下部進口進入塔內向上運動，通過單層或多層填料，廢（尾）氣與液相充分接觸後吸收或中和，乾淨的氣體經過上層的除霧層排出，從而達到吸收和淨化效果；

（2）臥式廢氣洗滌塔的工作原理為氣液兩相交叉流接觸，酸鹼廢（尾）氣通過填料層段時與液相充分接觸後吸收或中和，從而達到吸收或淨化的效果。

主要設備：

（1）洗滌塔設備樣式：洗滌塔的結構型式分為立式和臥式。

（2）洗滌塔設備組成：包括塔體、填料層、除霧層、循環水管路及循環水箱等。

（3）洗滌塔設備材料：廢氣處理設備以FRP為主要材料生產，填料採用PP材質的麥勒環。

工藝流程：

酸/鹼性廢氣收集→酸/鹼式洗滌塔→離心風機→煙囪（達標排放）

酸鹼廢氣經過收集管道集中收集後按照各自的系統進入相應的化學洗滌塔進行噴淋處理，k8凯发(中国)環保自主設計的化學洗滌塔通過內部的噴淋系統、循環水系統、填料過濾系統、除霧系統、自動加藥系統、自動補排水等系統對進入化學洗滌塔的廢氣進行化學吸收、除霧，經過處理後的廢氣達標排放。

2、半導體晶片生產線VOCs有機廢氣處理工藝

工作原理：

半導體晶片生產線有機混合廢氣經引風機作用，s先經過預處理過濾裝置去除廢氣中的粉塵及雜質部分，經過初步過濾後“相對純淨的有機廢氣”進入沸石轉輪吸附裝置進行吸附淨化處理，有機物質被轉輪沸石特有的作用力截留在內，潔淨氣體排出。經過一段時間吸附後，沸石轉輪達到飽和狀態，轉輪自動轉動進入冷卻和高溫脫附區域；經過沸石轉輪脫附出來的高濃度廢氣進入TO直燃式焚燒爐，進行焚燒淨化處理。廢氣焚燒後的爐膛燃燒室高溫氣體與內部熱交換器進行熱交換預熱進來的脫附廢氣，使脫附廢氣換熱後溫度控制在300-350℃左右，進入燃燒室燃燒，經內部換熱器降溫後，進入尾部二級煙氣餘熱利用裝置，升溫後的潔淨氣體進入轉輪脫附區用於脫附，此時脫附出來的廢氣屬於濃度高、風量小、溫度高的有機廢氣，再進入二級煙氣餘熱利用裝置用於廢氣溫度二次提高，進入TO焚燒爐焚燒處理。

主要設備：

（1）沸石轉輪

（2）TO直燃式熱氧化焚燒爐

工藝流程：

VOCs有機廢氣收集→沸石轉輪吸附濃縮/加熱脫附→TO焚燒爐焚燒→煙囪（達標排放）

半導體晶片生產線有機廢氣經引風機的作用，經過預處理過濾裝置去除廢氣中的粉塵及雜質部分，初步過濾後“相對純淨的有機廢氣”進入沸石轉輪吸附裝置進行吸附淨化處理，有機物質被轉輪沸石特有的作用力截留在其內部，潔淨氣體排出，經過一段時間吸附後，沸石轉輪達到飽和狀態，轉輪按照每小時1-3轉的速度自動轉動進入冷卻和高溫脫附區域。經過沸石轉輪脫附出來的高濃度廢氣，直接進入TO直燃式焚燒爐進行焚燒淨化處理，廢氣焚燒後的爐膛燃燒室高溫氣體與內部熱交換器進行熱交換預熱進來的脫附廢氣，使脫附廢氣換熱後溫度控制在300-350℃左右，進入燃燒室燃燒，經內部換熱器降溫後，進入尾部二級煙氣餘熱利用裝置，一級餘熱利用裝置用於脫附，升溫後的潔淨氣體進入轉輪脫附區用於脫附，沸石中的有機物受到熱空氣加熱後從沸石中揮發出來，此時脫附出來的廢氣屬於濃度高、風量小、溫度高的有機廢氣再進入二級煙氣餘熱利用裝置，用於將廢氣溫度二次提高，進入TO焚燒爐焚燒處理，再次降低TO焚燒爐焚燒的運行成本，做到真正的節能、環保。整套系統安全、可靠、無任何二次污染，廢氣淨化率達到96%以上。

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